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三相納米晶磁芯電抗裝置實(shí)用新型專利介紹

長沙麓山電子科技有限公司自主研發(fā)的“一種三相納米晶磁芯電抗裝置”（專利號(hào)：ZL 2020 2 1560145.4）獲國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授權(quán)，標(biāo)志著公司在新型磁性材料應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)突破。

該專利創(chuàng)新性地將納米晶磁芯材料應(yīng)用于三相電抗器設(shè)計(jì)，通過優(yōu)化磁路結(jié)構(gòu)與繞組工藝，顯著提升了電抗裝置的磁導(dǎo)率、抗飽和能力及溫度穩(wěn)定性。與傳統(tǒng)硅鋼片磁芯相比，納米晶材料的應(yīng)用使產(chǎn)品體積縮小30%以上，損耗降低20%，尤其適用于高頻、高精度電力電子設(shè)備場(chǎng)景，為新能源、軌道交通等領(lǐng)域提供了高效節(jié)能的電抗解決方案。

作為公司“新材料+結(jié)構(gòu)創(chuàng)新”戰(zhàn)略的重要成果，該專利由王道平、施海軍等核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)研發(fā)，于2020年7月申請(qǐng)，2021年3月正式授權(quán)。其技術(shù)優(yōu)勢(shì)不僅增強(qiáng)了產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭力，更推動(dòng)了電抗器行業(yè)向輕量化、高效化升級(jí)。

未來，公司將持續(xù)深化納米晶、非晶等新型材料的研發(fā)應(yīng)用，以技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)，為客戶創(chuàng)造更高價(jià)值。